Bumping ＆ WLP封裝

通過晶圓級封裝的Bumping (凸塊) 和 RDL (重布線)技術，在晶圓的表面實I/O的重新Layout 及Solder / Copper pillar bump 的引出實現倒裝芯片的凸塊加工，進一步實現先進細間距(Fine-pitch) Flipchip封裝；以及通過向芯片內或外的扇入/扇出(Fan-in/Fan-out) 技術實現WLP(Wafer level PKG，晶圓級封裝)技術，并藉由雙面Fan-out 及 TSV 硅穿孔技術實現2D/2.5D/3D 的先進晶圓級封裝技術。

BGA 封裝

球柵陣列封裝(Ball Grid Array,簡稱BGA)：在封裝體內部采用正裝芯片(Die bond/Wire bond) 焊線或先進的正裝芯片+倒裝芯片的混合封裝(Hybrid BGA）技術實現芯片和基板的互聯，以及在封裝體基板的背面制作陣列焊錫球作為芯片的I/O端與印刷線路板（PCB）互接。

QFN/QFP 引線框封裝

QFN封裝(方形扁平無引腳封裝)及QFP封裝(方型扁平式封裝)：基于銅框架(Copper Lead Frame) 的QFN和QFP封裝，封裝體中央區域采用大面積裸露焊盤用來導熱，大焊盤四周的封裝外圍有實現電氣連結的導電焊盤。

倒裝芯片(Flipchip)

FCCSP/FCBGA (Flipchip CSP/BGA)封裝：先進高密度倒裝芯片級封裝，采用Cu pillar 或Solder bump 通過將芯片翻轉與基板連接，采用散熱蓋(Heat sink)等高散熱解決方案，從而提供更好的電性能，更好的散熱性，及好的焊點可靠性。

SiP系統級封裝

SiP(System in a Package，系統級封裝)：由常規的Single chip 加 被動元器件，發展到將Multi chip多功能芯片加被動元器件，涵蓋包括正裝芯片(Die bond/Wire bond) 及 倒裝芯片(Flipchip)混合封裝技術，以及諸如MEMS或者光學Sensor器件及等其他器件優先組裝到一起，實現一定功能的標準封裝件，形成一個系統或者子系統。